Hepimizin bildiği gibi, hedef malzeme teknolojisinin gelişme eğilimi, alt uygulama endüstrisindeki film teknolojisinin gelişme eğilimi ile yakından ilişkilidir.Uygulama endüstrisinde film ürünlerinin veya bileşenlerinin teknolojik olarak gelişmesiyle birlikte hedef teknolojinin de değişmesi gerekmektedir.Örneğin, IC üreticileri son zamanlarda, önümüzdeki birkaç yıl içinde orijinal alüminyum filmin önemli ölçüde yerini alması beklenen düşük dirençli bakır kabloların geliştirilmesine odaklandılar, bu nedenle bakır hedeflerin ve bunların gerekli bariyer hedeflerinin geliştirilmesi acil olacaktır.
Ayrıca son yıllarda düz panel ekran (FPD), katot ışın tüpü (CRT) tabanlı bilgisayar ekranı ve televizyon pazarının yerini büyük ölçüde almıştır.Aynı zamanda ITO hedeflerine yönelik teknik ve pazar talebini de büyük ölçüde artıracak.Ve sonra depolama teknolojisi var.Yüksek yoğunluklu, geniş kapasiteli sabit sürücülere ve yüksek yoğunluklu silinebilir disklere olan talep artmaya devam ediyor.Bütün bunlar uygulama endüstrisinde hedef malzemelere olan talepte değişikliklere yol açtı.Aşağıda hedefin ana uygulama alanlarını ve bu alanlardaki gelişim eğilimini tanıtacağız.
1. Mikroelektronik
Tüm uygulama endüstrilerinde yarı iletken endüstrisi, hedef püskürtme filmleri için en sıkı kalite gereksinimlerine sahiptir.Artık 12 inçlik (300 epistaksis) silikon levhalar üretilmektedir.Ara bağlantının genişliği azalıyor.Silikon levha üreticilerinin hedef malzemelere yönelik gereksinimleri büyük ölçekli, yüksek saflıkta, düşük ayrışma ve ince tanelidir; bu da hedef malzemelerin daha iyi mikro yapıya sahip olmasını gerektirir.Hedef malzemenin kristal parçacık çapı ve tekdüzeliği, film biriktirme hızını etkileyen anahtar faktörler olarak kabul edilmiştir.
Alüminyum ile karşılaştırıldığında bakır, 0,25um'un altındaki mikron altı kablolamada iletken teknolojisinin gereksinimlerini karşılayabilecek daha yüksek elektromobilite direncine ve daha düşük dirence sahiptir, ancak başka sorunları da beraberinde getirir: bakır ve organik orta malzemeler arasında düşük yapışma mukavemeti.Üstelik reaksiyona girmesi kolaydır, bu da çip kullanımı sırasında bakır ara bağlantının korozyonuna ve devrenin kopmasına neden olur.Bu sorunu çözmek için bakır ile dielektrik tabaka arasına bariyer tabakası konulmalıdır.
Bakır ara bağlantısının bariyer katmanında kullanılan hedef malzemeler arasında Ta, W, TaSi, WSi vb. yer alır. Ancak Ta ve W, refrakter metallerdir.Yapılması nispeten zordur ve molibden ve krom gibi alaşımlar alternatif malzemeler olarak incelenmektedir.
2. Gösterim için
Düz panel ekran (FPD), yıllar içinde katot ışın tüpü (CRT) tabanlı bilgisayar monitörü ve televizyon pazarını büyük ölçüde etkilemiştir ve aynı zamanda ITO hedef malzemelerine yönelik teknoloji ve pazar talebini de artıracaktır.Bugün iki tür ITO hedefi vardır.Biri indiyum oksit ve kalay oksit tozunun sinterleme sonrasında nanometre durumunu kullanmak, diğeri ise indiyum kalay alaşımı hedefini kullanmaktır.ITO filmi, indiyum-kalay alaşımlı hedef üzerine DC reaktif püskürtme yoluyla üretilebilir, ancak hedef yüzey oksitlenecek ve püskürtme oranını etkileyecektir ve büyük boyutlu alaşım hedefi elde etmek zordur.
Günümüzde, magnetron püskürtme reaksiyonuyla püskürtme kaplama olan ITO hedef malzemesini üretmek için genellikle ilk yöntem benimsenmektedir.Hızlı bir biriktirme oranına sahiptir.Film kalınlığı doğru bir şekilde kontrol edilebilir, iletkenlik yüksektir, filmin kıvamı iyidir ve alt tabakanın yapışması güçlüdür.Ancak hedef malzemenin yapımı zordur çünkü indiyum oksit ve kalay oksit birlikte kolayca sinterlenemez.Genel olarak, sinterleme katkı maddeleri olarak ZrO2, Bi2O3 ve CeO seçilir ve teorik değerin %93~%98'i kadar yoğunluğa sahip hedef malzeme elde edilebilir.Bu şekilde oluşturulan ITO filmin performansı katkı maddeleri ile büyük bir ilişkiye sahiptir.
Bu tür hedef malzeme kullanılarak elde edilen ITO filminin bloklama direnci, saf ITO filminin direncine yakın olan 8,1x10n-cm'ye ulaşır.FPD ve iletken camın boyutu oldukça büyüktür ve iletken camın genişliği 3133 mm'ye bile ulaşabilir.Hedef malzemelerin kullanımını geliştirmek amacıyla silindirik şekil gibi farklı şekillerdeki İTO hedef malzemeleri geliştirilmektedir.2000 yılında, Ulusal Kalkınma Planlama Komisyonu ve Bilim ve Teknoloji Bakanlığı, Kalkınmada Şu Anda Öncelikli Olan Bilgi Endüstrisinin Temel Alanlarına ilişkin Kılavuzlara ITO'nun büyük hedeflerini dahil etti.
3. Depolama kullanımı
Depolama teknolojisi açısından, yüksek yoğunluklu ve büyük kapasiteli sabit disklerin geliştirilmesi, çok sayıda dev isteksizlik film malzemesi gerektirir.CoF~Cu çok katmanlı kompozit film, dev relüktans filmin yaygın olarak kullanılan bir yapısıdır.Manyetik disk için gerekli olan TbFeCo alaşımlı hedef malzeme halen geliştirilme aşamasındadır.TbFeCo ile üretilen manyetik disk, geniş depolama kapasitesi, uzun servis ömrü ve tekrarlanan temassız silinebilirlik özelliklerine sahiptir.
Antimon germanyum tellür bazlı faz değişim belleği (PCM) önemli bir ticari potansiyel gösterdi, NOR flash belleğin ve DRAM pazarının bir parçası haline gelerek alternatif bir depolama teknolojisi haline geldi, ancak daha hızlı ölçeklenen uygulamada var olma yolundaki zorluklardan biri sıfırlama eksikliğidir. mevcut üretim tamamen kapalı üniteye daha da düşürülebilir.Sıfırlama akımının azaltılması, bellek güç tüketimini azaltır, pil ömrünü uzatır ve veri bant genişliğini iyileştirir; günümüzün veri merkezli, son derece taşınabilir tüketici cihazlarındaki tüm önemli özellikler.
Gönderim zamanı: Ağu-09-2022