Polisilikon önemli bir püskürtme hedef malzemesidir.SiO2 ve diğer ince filmleri hazırlamak için magnetron püskürtme yönteminin kullanılması, matris malzemesinin dokunmatik ekran, optik ve diğer endüstrilerde yaygın olarak kullanılan daha iyi optik, dielektrik ve korozyon direncine sahip olmasını sağlayabilir.
Uzun kristallerin dökümü işlemi, külçe fırınının sıcak alanındaki ısıtıcının sıcaklığını ve ısı yalıtım malzemesinin ısı dağılımını doğru bir şekilde kontrol ederek sıvı silikonun aşağıdan yukarıya doğru yönlü katılaşmasını kademeli olarak gerçekleştirmektir. katılaşma uzun kristallerin hızı 0,8 ~ 1,2 cm/saattir.Aynı zamanda, yönlü katılaşma sürecinde, metal elemanların silikon malzemelerdeki ayrışma etkisi gerçekleştirilebilir, metal elemanların çoğu saflaştırılabilir ve düzgün bir polikristalin silikon tane yapısı oluşturulabilir.
Silikon eriyiğindeki alıcı yabancı maddelerin konsantrasyonunu değiştirmek için döküm polisilikonunun üretim sürecinde kasıtlı olarak katkılanması da gerekir.Endüstrideki p-tipi döküm polisilikonunun ana katkı maddesi, bor içeriğinin yaklaşık %0,025 olduğu silikon bor ana alaşımıdır.Katkı miktarı silikon levhanın hedef direncine göre belirlenir.Optimum direnç 0,02 ~ 0,05 Ω • cm'dir ve karşılık gelen bor konsantrasyonu yaklaşık 2 × 1014cm-3'tür. Bununla birlikte, borun silikondaki ayrışma katsayısı 0,8'dir ve bu, yönlü katılaşma sürecinde belirli bir ayrışma etkisi gösterecektir; yani bor elementi külçenin dikey yönünde bir eğimle dağılır ve direnç külçenin altından tepesine doğru giderek azalır.
Gönderim zamanı: Temmuz-26-2022